GPA030A135MN-FDR

ຮູບພາບແມ່ນສໍາລັບການອ້າງອິງ, ກະລຸນາຕິດຕໍ່ພວກເຮົາເພື່ອໃຫ້ໄດ້ຮູບພາບທີ່ແທ້ຈິງ

ສ່ວນຜູ້ຜະລິດ	GPA030A135MN-FDR
ຜູ້ຜະລິດ	SemiQ
ລາຍລະອຽດ	IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
ປະເພດ	ຜະລິດຕະພັນ semiconductor ແຍກ
ຄອບຄົວ	transistors - igbts - ດຽວ
ວົງຈອນຊີວິດ:	New from this manufacturer.
ການຈັດສົ່ງ:	DHL FedEx Ups TNT EMS
ການຈ່າຍເງິນ	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ແຜ່ນຂໍ້ມູນ	GPA030A135MN-FDR PDF

ຄວາມພ້ອມ

ໃນສາງ	771.939
ລາຄາຕໍ່ຫນ່ວຍ	$ 0.00000

GPA030A135MN-FDR Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

GPA030A135MN-FDR ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

ປະເພດ	ລາຍລະອຽດ
ຊຸດ:	Tube
ສະຖານະສ່ວນ:	Obsolete
ປະເພດ igbt:	Trench Field Stop
ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ):	1350 V
ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ):	60 A
ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ ກຳ ເຕັ້ນ (icm):	90 A
vce(on) (ສູງສຸດ) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 30A
ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ:	329 W
ສະຫຼັບພະລັງງານ:	4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
ປະເພດປ້ອນຂໍ້ມູນ:	Standard
ຄ່າຜ່ານປະຕູ:	300 nC
td (ເປີດ/ປິດ) @ 25°c:	30ns/145ns
ສະພາບການທົດສອບ:	600V, 30A, 5Ohm, 15V
ເວລາການຟື້ນຕົວແບບປີ້ນກັບກັນ (trr):	450 ns
ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ:	-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ:	Through Hole
ຊຸດ / ກໍລະນີ:	TO-3
ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ:	TO-3PN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.